第24章
渣，才是他的底色。
专业研讨迅速进入主题。
阮星眠作为今天的主汇报人，她站在投影幕旁，从容不迫地按下翻页笔。
屏幕上弹出她的汇报标题："基于6T-SRAM阵列的存内模拟乘加运算架构设计"。
她侧身指着PPT上的架构图，语速是轻车熟路的流畅：
"目前主流存算一体方案多采用8T或10T存储单元以保证读稳定性，但面积开销显著。我提出用标准6T单元做模拟域乘加，通过差分读取方式抑制共模噪声，理论计算精度可达97%，而面积效率比8T方案提升约33%。"
她翻到下一页，展示SP***前仿波形图：
"前仿结果很好......"
......
她把激光笔放在桌上，目光扫了一圈会议室："以上就是我的初步方案，欢迎各位提意见。"
会议室陷入短暂沉默。
硕士生们低头记笔记，两个博士生交换了一个眼神，谁都没开口。
贺崇言靠在椅背上，直视投影屏幕，语气平稳："阮博士，我有个疑问。"
阮星眠转头看他，点头："贺教授请讲。"
"你在SP***里跑前仿的时候，激励源设的是理想电压源，还是非理想源？"
"理想源，"阮星眠答得很快。
"嗯。"贺崇言点了下头，"那你后仿的负载条件，跟前仿是同一套？"
阮星眠微微一顿："……是的，用的都是典型负载条件。"
会议室里安静了半拍。
贺崇言把手边的水杯轻轻推开，往前探了探身，语气没有变化，但每个字都落得很清楚：
"那你的后仿验证增量在哪里？"
阮星眠没说话。白板灯嗡嗡响着。
贺崇言继续说：
"你用6T单元做存内计算，这个方向本身没有问题。但问题是，存储节点Q和Q*在写入状态时是弱锁存，*L和*L*上的电压摆幅会直接通过寄生电容耦合回来，干扰Q和Q*的电平。"
他伸手，用手指在桌面轻敲了一下："你前仿按理想源跑，后仿还按理想负载跑，两者之间唯一的变化是你多跑了一层寄生参数提取......"
阮星眠的手指在激光笔上收紧了一下。
她开口，声音比刚才略低："……我用了差分读取来抑制共模噪声，理论上可以把读写干扰压到可接受范围。"
贺崇言没有反驳。
"去年长阙跑的一颗存算一体测试芯片，用的就是6T阵列。芯片回来之后，测试组发现了当阵列规模从64×64扩大到256×256，*L上的电压摆幅虽然保持在我们预设的80mV以内，但计算误差从2%飙升到了37%。""